多晶硅光伏，多晶硅光伏电池产生什么污染物

本文目录一览

1，多晶硅光伏电池产生什么污染物
2，光伏多晶硅材料的发电机理
3，多晶硅的用途是什么
4，太阳能多晶硅单晶硅非晶硅区别
5，一平米多晶硅光伏板一年大概可以发多少度电
6，光伏太阳能板多晶硅好还是单晶硅好
7，光伏多晶硅

1，多晶硅光伏电池产生什么污染物

主要是污染水源，产生含有HCL，NAOH，HF,HNO3，KOH，以及银浆，重金属等

多晶硅光伏电池产生什么污染物

2，光伏多晶硅材料的发电机理

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太阳能电池发电原理 http://www.21ic.com/wyzt/201006/59711.htm

光伏多晶硅材料的发电机理

3，多晶硅的用途是什么

当前，晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料，其市场占有率在90％以上,而且在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料。多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美、日、德等3个国家7个公司的10家工厂手中，形成技术封锁、市场垄断的状况。多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池。按纯度要求不同，分为电子级和太阳能级。其中，用于电子级多晶硅占55％左右，太阳能级多晶硅占45％，随着光伏产业的迅猛发展，太阳能电池对多晶硅需求量的增长速度高于半导体多晶硅的发展，预计到2008年太阳能多晶硅的需求量将超过电子级多晶硅。

多晶硅的用途是什么

4，太阳能多晶硅单晶硅非晶硅区别

1．区别晶体非晶体？答：日常所见到的固体分为非晶体和晶体两大类，非晶体物质的内部原子排列没有一定的规律，当断裂时断口也是随机的，如塑料和玻璃等，而称之为晶体的物质，外形呈现天然的有规则的多面体，具有明显的棱角与平面，其内部的原子是按照一定的规律整齐的排列起来，所以破裂时也按照一定的平面断开，如食盐、水晶等。 2．区别单晶体和多晶体？答：有的晶体是由许许多多的小晶粒组成，若晶粒之间的排列没有规则，这种晶体称之为多晶体，如金属铜和铁。但也有晶体本身就是一个完整的大晶粒，这种晶体称之为单晶体，如水晶和晶刚石。 3．单晶硅与多晶硅光伏电池的比较？答：单晶硅电池具有电池转换效率高，稳定性好，但是成本较高。多晶硅电池成本低，转换效率略低于直拉单晶硅太阳能电池，材料中的各种缺陷，如晶界、位错、微缺陷，和材料中的杂质碳和氧，以及工艺过程中玷污的过渡族金属

多晶硅太阳能电池.

5，一平米多晶硅光伏板一年大概可以发多少度电

这取决于以下三个方面：1. 所用多晶硅电池板的效率；2. 所处的维度；3. 所在地方的气候条件；下面我们做一个假设：1. 发电量首先取决于电池板的发电效率，一般多晶硅我们按15%算起，那么1平方米的功率就是150W左右。2. 阳光入射角度会影响反射光的多少，这里假设我们的追日系统几近完美，也就是说没有角度损失。3. 所在地方的气候主要指的是日照时间，按中原地带3000h算。那么这1平米多晶硅电池板的全年发电量就是150W*3000h=450000kw.h=450度。然而，除了电池效率，维度，日照时间外还有很多影响发电量的因素，如温度，湿度等。所以要得到确切的数据，只能在当地做实地实验，以得出相关数据。目前为止，还没有那家公司对全国各地发电量数据做过系统全面的统计。

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6，光伏太阳能板多晶硅好还是单晶硅好

多晶硅好。1、单晶硅多晶硅是一种用来制作太阳能电池板的原材料。2、硅是地球上极丰富的一种元素，几乎遍地都有硅的存在，可说是取之不尽，用硅来制造太阳电池，原料可谓不缺。3、多晶硅的太阳能电池板的速率一般是单晶硅的二到三倍，电压要稳定一些。4、多晶硅太阳电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多，其光电转换效率约12%左右，稍低于单晶硅太阳电池，但是材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到大量发展。

多晶硅太阳能电池和单晶硅太阳能电池是没有区别的。多晶硅太阳能电池和单晶硅太阳能电池的寿命和稳定性都很好。虽然单晶硅太阳能电池的平均转换效率比多晶硅太阳能电池的平均转换效率高1%左右，但是由于单晶硅太阳能电池只能做成准正方形（4个顶端是圆弧），当组成太阳能电池组件时就有一部分面积填不满，而多晶硅太阳能电池是正方形，不存在这个问题，因此对于太阳能电池组件的效率是一样的。另外，由于两种太阳能电池材料的制造工艺不一样，多晶硅太阳能电池制造过程中消耗的能量要比单晶硅太阳能电池少30%左右

7，光伏多晶硅

多晶硅材料小知识 A、太阳能级多晶硅料技术要求：总体要求：硅含量99.9999% 含硼量：<0.20ppba 含磷量：<0.90ppba 含碳量：<1.00ppba 金属含量：<30.00ppba 金属表面含量：<30.00ppba 尺寸大小要求：25mm---250mm 多晶种类：P型电阻率：>0.50Ohmcm B、破碎半导体级硅片技术要求：半导体级碎硅片片子形状为圆弧形碎片硅片厚度>=400um 型号为P型电阻率：>0.50Ohmcm C、小多晶硅技术要求 1. 型号为N型，电阻率大于50ohmcn，碳含量小于5*1016/cm3，氟含量小于 5*1017/cm3 2. 块状为4mm 3. 不能有氧化物夹层和不熔物，最好为免洗料 D、直拉多晶硅技术要求 1.磷检为N型，电阻率大于100ohmcm，硼检为P型，电阻率大于1000ohmcm.少娄载流子寿命大100um，碳含量小于1016cm3，氧含量小于1017 cm3 2. 块状小于30mm 3. 不能有氧化物夹层和不熔物，最好为免洗料 E、区熔头尾料技术要求 1. N型，电阻率大于50chmom 少数载流子寿命大于100μm 2. 块状大于 30mm 3. 区熔头尾料不能有气泡，不能有与线圈接触所造成的沾污，更不能有区熔过程的流硅或不熔物。 4. 最好为免洗料 F、直拉头尾料（IC料），最好为免洗料 1. N型，电阻率大于10ohmom 2. P型，电阻率大于 0.5ohmom 3. 块状大于30mm，片厚大于0.5mm 4. 直拉头尾料不能气泡，更不能有不熔物